Package Dimensions
SOT-223
3.00 ± 0.10
MAX1.80
+0.04
0.06 –0.02
(0.95)
2.30 TYP
4.60 ± 0.25
0.70 ± 0.10
(0.95)
+0.10
0.25 –0.05
0 ° ~
10
°
6.50 ± 0.20
Dimensions in Millimeters
?20 0 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FQ T13N06 Rev. C0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
FQT1N60CTF_WS MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
FQT3P20TF_SB82100 MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
FQT4N20LTF MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
FQT4N25TF MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
FQT5P10TF MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
FQT7N10LTF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
FQT7N10TF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
FQU10N20CTU MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
相关代理商/技术参数
FQT1N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF_WS 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT1N60CTF-WS 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET
FQT1N80TF 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQT1N80TF_WS 功能描述:MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT1N80TFWS 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET
FQT26N03L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223